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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，2A的电流，功耗为（2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，选NMOS。NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。

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广西玉林光伏板防水电缆免费检测双电源供电一般采用对称的正、负直流电压作为工作电压，集成电路有两个电源引脚，电路图中往往分别在正、负引脚旁分别标注“＋VCC”“－VSS”字符。其次，可以通过特征识别。集成电路电源引脚明显特征：一是集成电路电源引脚一般直接与相应的电源电路的输出端相连接。二是集成电路电源引脚一般与地之间皆有大容量的电源滤波电容，有的电路还在大容量滤波电容旁并接一个小容量的高频滤波电容，如上图所示。另外，集成电路可能具有更多的电源引脚。三极管按材料分有两种：硅管和锗管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用 多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，取代一些硅原子，在电压激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）；两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。应用于大型的电力设施时，应该具有较强的热、动稳定性、足够的绝缘强度、灵敏的操作性能，闸能够进行分、合，能够 的时间内进行的操作。对于电力系统中有接地闸的隔离关，必须配备相应的连锁设备，在人工和突发情况下能够进行正确操作，在停电时应该先断隔离关，然后进行人工或者自动的闭合接地闸的流程进行，保证发生意外情况时，能够进行有效保护。在高压隔离关运行的过程中严格注意各个电路的连接点、闸口处接触是否良好，定期检查维修，保证闸嘴处不会出现过热造成表面腐蚀的现象，监视温度的蜡片有无严重熔化的情况的出现，同时还要注意对设备中应用的瓷瓶、瓷套管等设备进行检查，看瓷体表面有无裂痕、破碎的状况，及时的进行更换；对出现闪络放电痕迹进行监控，并及时的解决。如果SMOD=1，则同样的X初值得出的波特率加倍。用T2：在52型单片机中，串口方式3的波特率发生器选择由TCLK、RCLK位确定是T1还是T2。若TCLK=1，则发送器波特率来自T2，否则来自T1。若RCLK=1，则接收器波特率来自T2，否则来自T1。由T2产生的波特率与SMOD无关。T2定时的单元=2/fosc。T2的溢出脉冲16分频后作为串口的发送或接收脉冲。波特率=（1/（（2/fosc）（65536-X）））/16=fosc/（32（65536-X））例：已知fosc=11.05 392=FF70H计数器初值寄存器：RCAP2H=0FFH，RCAP2L=70H。