下表表示恒压驱动电路在低速时，对单极与双极驱动工作效率的比较。电流与线圈匝数之积称为安匝，与转矩成正比，两者如转速相同，输出功率也与其有比例关系。由于低速时，电抗小，电抗如果忽略不计，V/R即为电流，与N之积VN/R变成安匝数。同样，双极电流为V/2R，匝数也为2N，此积与单极情形相同为VN/R。输入恒压驱动的情形，双极与单极比较，如下表所示，电流只有单极的1/2，低速时的效率为单极的2倍。小型化或低速时，要产生大转矩的情况，应使用双极式驱动，但驱动电路复杂。

废旧电缆的分类
1.绝缘种类：V代表聚氯乙稀；X代表橡胶；Y代表聚乙；YJ代表交联聚乙；Z代表纸。
2.导体材料：L代表铝；T（省略）代表铜。
3.内护层：V代表聚氯乙稀护套；Y聚乙护套；L铝护套；Q铅护套；H橡胶护套；F氯丁橡胶护套。
4.特征：D不滴流；F分相；CY充油；P贫油干绝缘；P屏蔽；Z直流。
5.控制层：0无；2双钢带；3细钢丝；4粗钢丝。
6.外被层：0无；1纤维外被；2聚氯乙稀护套；3聚乙护套。
7.阻燃电缆在代号前加ZR；耐火电缆在代号前加NH。

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下面介绍几种抗干扰的措施：1.电源线设计。根据印制线路板电流的大小，尽量加租电源线宽度，减少环路电阻。同时、使电源线、地线的走向和数据传递的方向一致，这样有助于增强抗噪声能力。地段设计。地线设计的原则是：数字地与模拟地分。若线路板上既有逻辑电路又有线性电路，应使它们尽量分。低频电路的地应尽量采用单点并联接地，实际布线有困难时可部分串联后再并联接地。高频电路宜采用多点串联接地，地线应短而租，高频元件周围尽量用栅格状大面积地箔。

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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。在使用指针式万用表测电阻过程中，我们应该尽量让指针指到刻度的中间位置。需要注意的一点是，当测电机线圈时，电机线圈电阻很小，应该置R×1或R×10档;测绝缘电阻时，应该放R×10K档。常见问题三：测量时应该怎么用数字万用表来检测电阻丝的电阻值呢?在使用数字万用表测电阻的过程汇总，其实电阻丝的电阻我们是可以直接测量的。首先需要将数字万用表调到电阻档，然后用两个表笔测量电阻丝两端，电子屏上所显示的数值就是电阻丝电阻。